新作製法( SP-PCVD )による低温基板上への SiGe 合金の堆積と特性評価
新作製法( SP-PCVD )による低温基板上への SiGe 合金の堆積と特性評価
使用新制造方法 (SP-PCVD) 在低温基底上沉积 SiGe 合金并对其进行表征
批准号：
60550235
负责人：
井村 健
金额：
$1.28万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1985
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1985 至 --
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理科教育実践のデータベース化 〜奈良県の実践を中心に〜
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批准号：08908024
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (B)
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资助金额：$0.13万
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财政年份：1996
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负责人：井村 健
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依托单位：