MBE 法を用いたII-VI族半導体超格子の製作
MBE 法を用いたII-VI族半導体超格子の製作
MBE法制备II-VI族半导体超晶格
批准号：
60750011
负责人：
松村 信男
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1985
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1985 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
光CVD法によるアルミナ絶縁膜の低温堆積の研究
-
批准号：03239206
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额：$1.28万
-
财政年份：1991
-
负责人：松村 信男
-
依托单位：
ZnSSe膜の光照射下でのMBE成長機構の解明と高品質膜の低温成長
-
批准号：02650013
-
项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
-
资助金额：$1.28万
-
财政年份：1990
-
负责人：松村 信男
-
依托单位：