高分解能しきい値分光装置による希土類金属薄膜-Si界面形成過程

1,研究成果,(1)高性能電子線銃による高分解能しきい値分光装置の製作、励起用入射電子線源として高性能電子線銃(当該研究の購入品)を用いたしきい値分光装置を製作した。この電子銃により電子ビームの収束性が良くなり、ターゲット(試料)上での測定領域がO.2mmφ程度にまで精密に決定できるようになったと同時に、高輝度の電子ビームが得られ、しきい値分光(DAPS,AEAPS,SXAPS)法の高感度化が容易となった。特に従来SXAPSは測定感度が低かったが、励起電子電流が200μAと従来の1/10に低減しても高エネルギー分解能(相対エネルギー分解能で0.1eV)が得られた。またDAPS,AEAPS測定においても、励起電子電流0.7μAで希土類金属ランタンLaに対する各スペクトルで同じく高エネルギー分解能0.1eVが得られた。(2)希土類金属-Si界面反応と電子構造変化の測定。クヌーセン型の希土類金属用蒸着源を開発した。これを使って薄膜の希土類金属-Si化合物を形成し、しきい値分光法で調べた。BaやLaの【N_(4,5)】準位でのスペクトルは4f-5d電子状態により変化するので上記高分解能しきい値分光法で、そのピーク形状、ピークエネルギー値、およびそれらの測定感度について最適な実験条件の設定と標準スペクトルの作成を行った。また、BaやLaのシリサイド形成におけるスペクトル形状の変化、および化学シフトを適確に理解するため、その化学的性質が似ているTiシリサイド形成との場合と比較し、その類似性を調べた。2,研究の孝察・反省,当初の目的を概ね達成したので、今後は本研究によって得られた各成果を基礎に、その他の希土類金属へと数をふやし系続的に、希土類金属シリサイドの性質を調べたい。

1,研究成果,(1)高性能電子線銃による高分解能しきい値分光装置の製作、励起用入射電子線源として高性能電子線銃(当該研究の購入品)を用いたしきい値分光装置を製作した。この電子銃により電子ビームの収束性が良くなり、ターゲット(試料)上での測定領域がO.2mmφ程度にまで精密に決定できるようになったと同時に、高輝度の電子ビームが得られ、しきい値分光(DAPS,AEAPS,SXAPS)法の高感度化が容易となった。特に従来SXAPSは測定感度が低かったが、励起電子電流が200μAと従来の1/10に低減しても高エネルギー分解能(相対エネルギー分解能で0.1eV)が得られた。またDAPS,AEAPS測定においても、励起電子電流0.7μAで希土類金属ランタンLaに対する各スペクトルで同じく高エネルギー分解能0.1eVが得られた。(2)希土類金属-Si界面反応と電子構造変化の測定。クヌーセン型の希土類金属用蒸着源を開発した。これを使って薄膜の希土類金属-Si化合物を形成し、しきい値分光法で調べた。BaやLaの【N_(4,5)】準位でのスペクトルは4f-5d電子状態により変化するので上記高分解能しきい値分光法で、そのピーク形状、ピークエネルギー値、およびそれらの測定感度について最適な実験条件の設定と標準スペクトルの作成を行った。また、BaやLaのシリサイド形成におけるスペクトル形状の変化、および化学シフトを適確に理解するため、その化学的性質が似ているTiシリサイド形成との場合と比較し、その類似性を調べた。2,研究の孝察・反省,当初の目的を概ね達成したので、今後は本研究によって得られた各成果を基礎に、その他の希土類金属へと数をふやし系続的に、希土類金属シリサイドの性質を調べたい。