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イオン散乱分光法による光CVD表面反応過程の研究

イオン散乱分光法による光CVD表面反応過程の研究
利用离子散射光谱研究光学CVD表面反应过程
批准号:
61740252
负责人:
中松 博英
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1986
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1986 至 --
关键词:

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希土類錯体の化学結合における4f電子の特徴
  • 批准号:
    07230103
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.6万
  • 财政年份:
    1995
  • 负责人:
    中松 博英
  • 依托单位:
X線吸収スペクトル中の化学的知見の分子軌道法と散乱解釈を用いた解明
  • 批准号:
    06640650
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    中松 博英
  • 依托单位:
希土類錯体中の化学結合の相対論分子軌道法による解明
  • 批准号:
    06241105
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $1.6万
  • 财政年份:
    1994
  • 负责人:
    中松 博英
  • 依托单位:
光CVD法によるSiC薄膜の構造および電子構造の制御
  • 批准号:
    63750793
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1988
  • 负责人:
    中松 博英
  • 依托单位: