ホットワイヤーマイクロゾーン法によるInSb系薄膜磁気抵抗素子の多層化
ホットワイヤーマイクロゾーン法によるInSb系薄膜磁気抵抗素子の多層化
采用热线微区法的多层InSb基薄膜磁阻元件
批准号：
61750271
负责人：
以西 雅章
金额：
$0.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1986 至 --
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ホットワイヤーマイクロゾーン法による InSb 系薄膜磁気抵抗素子の多層化
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批准号：60750266
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1985
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负责人：以西 雅章
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依托单位：