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オージェ価電子分光法による半導体超薄膜の局所的格子ひずみの評価

オージェ価電子分光法による半導体超薄膜の局所的格子ひずみの評価
使用俄歇价电子能谱评估超薄半导体薄膜中的局部晶格应变
批准号：
61750278
负责人：
中山 弘
金额：
$0.51万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1986
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1986 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61750278/
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強磁性シリコンの成長と物性評価
  • 批准号：
    14655009
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.11万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    中山 弘
  • 依托单位：
    Osaka City University
MBE成長過程における核形成と単原子膜成長の不連続性
  • 批准号：
    05211216
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.92万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    中山 弘
  • 依托单位：
    Kobe University
MBE成長過程における核形成と単原子膜成長の不連続性
  • 批准号：
    04227222
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1992
  • 负责人：
    中山 弘
  • 依托单位：
    Kobe University
MBE成長過程における核形成と単原子膜成長の不連続性
  • 批准号：
    03243224
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $2.05万
  • 财政年份：
    1991
  • 负责人：
    中山 弘
  • 依托单位：
    Kobe University