スラグーメタル界面における固体酸化物の局部溶損におよぼす印加電圧の影響

施加电压对金属块-金属界面处固体氧化物局部熔损的影响

• 批准号: 62550491
• 负责人: 向井 楠宏
• 金额: $ 0.51万
• 依托单位: Kyushu Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1987
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1987 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-62550491/
• 关键词: 固体酸化物の局部溶損; スラグーメタル界面; 印加電圧; マランゴニ効果; スラグフィルム; 直接動的観察

スラグーメタル界面に生じる固体酸化物の局部溶損におよぼす印加電圧の影響を, 透明石英ガラスるつぼ-(PbO-SiO_2)スラグーPb系を用いて800°C, アルゴン雰囲気のもとで調べ, 以下の結果を得た.1.スラグーメタル間に電圧を印加した状態で, るつぼ内壁に生じる局部溶損の進行状況と, その付近のスラグフィルム(SF)の運動を, るつぼの外側から光学的に直接動的に観察し, 映画フィルム等に記録することに成功した.2.メタルを陰極にした状態での局部溶損は, 回路を開いた状態に比較して, 水平方向の溶損が小さく, 上下方向に広い幅をもつなだらかな溶損形態を示す. これに対して, メタルを陽極にした状態では, 水平方向に深く, 上下方向に幅の狭い, 鋭いくびれをもつ局部溶損形態を示す.3.水平方向の局部溶損量は, メタル陰極の場合が最も小さく, 次いで開回路, メタル陽極の順に大きくなる.4.局部溶損部のメタルーるつぼ内壁間に存在するSF(凝固後)には, SFの厚さ方向および, SF-メタル界面の上下方向にSiO_2濃度の変化が検出される. 局部溶損部のSFのSiO_2濃度は, メタル陽極の時が最も低く, 次いで開回路, メタル陰極の順に高くなる. いずれの場合にも, SF-メタル間の界面張力は, 下方ほど大きくなり, マランゴニ効果によりSFが, 下方に引張られていることを示す.5.上記マランゴニ効果に基づくスラグフィルムの運動のもと, 溶解成分SiO_2の物質移動律速として導いた溶損速度式を用いて, 3の結果等を定性的に説明できた. しかし, 溶損速度の絶対値の一致は十分なものではなかった. 試料の急冷等により, 局部溶損進行時にできるだけ近い状態でのスラグフィルムの性状を明らかにすることが今後の課題と考えられる.

Local dissolution loss of solid acid due to interface formation, influence of voltage, transparent quartz (PbO-SiO_2)-Pb system is used in the middle temperature of 800°C, and the temperature of the solution is adjusted. The following results are obtained: 1. The temperature of the solution is adjusted to the temperature of 800°C, and the temperature of the solution is adjusted to 800 ° C. The temperature of the solution is adjusted to 800 ° C. The temperature of the solution is adjusted to 800 ° C. The temperature of the solution is adjusted to 800 ° C. 2. Partial dissolution loss in cathode state, partial dissolution loss in circuit open state, partial dissolution loss in horizontal direction, partial dissolution loss in vertical direction. 3. Local dissolution loss in horizontal direction is the smallest in case of cathode, the second is open loop, the third is open loop, the fourth is local dissolution loss exists between inner wall SF(after solidification). The thickness direction of SF is too large, and the change of SiO_2 concentration in the up and down direction of the SF-menu interface can be detected. The SiO_2 concentration of SF in the local solution loss part is the lowest in the anode time, the second in the open circuit, and the third in the cathode time. In this case, the interfacial tension between SF and matrix is shown below. 5. The results of the above note are qualitative explanations of the equation for the movement of the matrix, the rate of material movement of dissolved component SiO_2, and the rate of dissolution loss. The rate of dissolution is consistent with the absolute value. The rapid cooling of the sample, the local dissolution of the state of progress in the near future, the characteristics of the state of progress in the future, the subject of examination.