一次元導体中の凍結された電荷密度波の非線形緩和機構の研究
一次元導体中の凍結された電荷密度波の非線形緩和機構の研究
一维导体中冻结电荷密度波非线性弛豫机制研究
批准号：
62740187
负责人：
久保田 弘
金额：
$0.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1987 至 --
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会议论文
低エネルギーイオンプロセスによるTiオキシナイトライド超薄膜の成長制御
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批准号：07650036
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.41万
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财政年份：1995
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负责人：久保田 弘
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依托单位：
イオンビーム反応性蒸着によるアモルファスIII-V族半導体薄膜の育成と青色発光制御
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批准号：05650018
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1993
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负责人：久保田 弘
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依托单位：
一次元導体中の凍結された電荷密度波の非線形緩和機構の研究
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批准号：63740175
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1988
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负责人：久保田 弘
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依托单位：