アモルファスSi/結晶Si界面の構造とそのエピタキシーに関する研究
アモルファスSi/結晶Si界面の構造とそのエピタキシーに関する研究
非晶硅/晶硅界面结构及其外延研究
批准号：
62750047
负责人：
重田 諭吉
金额：
$0.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1987
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1987 至 --
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赤外線反射スペクトルによるエピタキシ-成長の動的過程の研究
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批准号：03650046
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.0万
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财政年份：1991
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负责人：重田 諭吉
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依托单位：
金属/半導体界面の電子状態の研究
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批准号：60750044
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1985
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负责人：重田 諭吉
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依托单位：
角度分解型電子分光法によるAu(100)面の(5×20)と(1×1)構造の研究
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批准号：57750040
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1982
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负责人：重田 諭吉
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依托单位：
角度分散型電子分光法によるAu(100)面の(5×20)と(1×1)構造の研究
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批准号：56750032
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.63万
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财政年份：1981
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负责人：重田 諭吉
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依托单位：
角度分解型電子分光法によるAu(100)面の(5×20)と(1×1)構造の研究
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批准号：X00210----575032
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.45万
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财政年份：1980
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负责人：重田 諭吉
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依托单位：