実陰極を有する磁気絶縁ダイオードによる高収束イオンビーム発生
実陰極を有する磁気絶縁ダイオードによる高収束イオンビーム発生
使用具有真正阴极的磁绝缘二极管生成高度聚焦的离子束
批准号：
63780007
负责人：
升方 勝己
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
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高強度パルスイオン注入法による超硬質半導体の導電率制御
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批准号：22540502
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2010
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负责人：升方 勝己
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依托单位：
大強度パルス軽イオンビームのエネルギー付与過程の研究
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批准号：02780004
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1990
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负责人：升方 勝己
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依托单位：
プラズマフォーカス型イオンダイオードによるパレス軽イオンビーム発生
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批准号：59780005
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1984
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负责人：升方 勝己
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依托单位：