低Z材料中に低エネルギーイオン注入された水素およびヘリウムの保持・放出挙動
低Z材料中に低エネルギーイオン注入された水素およびヘリウムの保持・放出挙動
批准号:
01780260
负责人:
永田 晋二
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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会议论文
光誘起発光特性を持つ高分子膜による二次元放射線分布測定
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批准号:21656236
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2009
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负责人:永田 晋二
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依托单位:
量子ビームによる金属表面アモルファス化と金属ガラス表面改質に関する研究
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批准号:18029001
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.2万
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财政年份:2006
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负责人:永田 晋二
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依托单位:
イオン注入による金属・セラミック界面の混合
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批准号:05650695
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1993
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负责人:永田 晋二
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依托单位:
高エネルギーイオン衝撃による金属薄膜の結晶成長に関する研究
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批准号:03750520
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:永田 晋二
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依托单位: