半導体表面への吸着と電子・光衝撃脱離
半導体表面への吸着と電子・光衝撃脱離
半导体表面吸附和电子/光冲击解吸
批准号：
01790356
负责人：
安江 常夫
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
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会议论文
低エネルギーイオンによる表面局所ポテンシャル場の解析
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批准号：10750021
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$1.34万
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财政年份：1998
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负责人：安江 常夫
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依托单位：
表面上水素の超高深さ分解能測定に関する研究
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批准号：08750039
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1996
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负责人：安江 常夫
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依托单位：