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高圧下での測定によるIII-V族化合物半導体中の欠陥準位に関する研究

高圧下での測定によるIII-V族化合物半導体中の欠陥準位に関する研究
高压测量III-V族化合物半导体缺陷水平研究
批准号：
01790355
负责人：
藤澤 利正
金额：
$1.22万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 1990
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01790355/
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整数・分数量子ホール系によるカイラルプラズモンの量子状態制御
  • 批准号：
    24K00552
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $11.9万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    藤澤 利正
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
Developing thermoelectric devices based on non-thermal metastable states in low-dimensional electron systems
  • 批准号：
    23K17302
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
  • 资助金额：
    $16.64万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    藤澤 利正
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
Nonequilibrium states of low-dimensional quasiparticles in a mesoscopic quantum Hall system
  • 批准号：
    19H05603
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
  • 资助金额：
    $127.71万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    藤澤 利正
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
表面弾性波による半導体量子構造の電子状態の観測と制御