プラズマ電位を制御したプラズマ空間中でのGe薄膜の低温エピタキシャル成長
プラズマ電位を制御したプラズマ空間中でのGe薄膜の低温エピタキシャル成長
等离子体空间受控等离子体电势低温外延生长Ge薄膜
批准号：
63750275
负责人：
松下 浩一
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1988
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1988 至 --
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会议论文
イオン注入 GaAs の熱活性化用 AlN 保護膜の検討
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批准号：58750222
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1983
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负责人：松下 浩一
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依托单位：