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多孔質シリコン上の化合物半導体結晶成長とその応用に関する研究

多孔質シリコン上の化合物半導体結晶成長とその応用に関する研究
多孔硅上化合物半导体晶体生长及其应用研究
批准号:
63750301
负责人:
高井 裕司
金额:
$0.58万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1988
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1988 至 --
关键词:

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シリコン基板上へのGaAsパターンエピタキシャル成長に関する基礎研究
  • 批准号:
    01750274
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.51万
  • 财政年份:
    1989
  • 负责人:
    高井 裕司
  • 依托单位:
ラジカルビームアシステッドMOMBEによるGaAsの結晶成長に関する研究
  • 批准号:
    62750269
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1987
  • 负责人:
    高井 裕司
  • 依托单位: