权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

磁性多層膜のマグノンブリルアン散乱

磁性多层膜的磁振布里渊散射

基本信息

批准号：
01550003
负责人：
吉原章
金额：
--
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01550003/
关键词：
磁性多層膜・人工格子ブリルアン散乱スピン波磁気定数

项目摘要

強磁性/非磁性、反強磁性/強磁性多層膜中に熱的に励起されたマグノン振動数の外部磁場依存性、中間層膜厚依存性について詳細な研究を行った。特に、定在スピン波構造の中間層膜厚依存性の測定から、強磁性多層間の交換相互作用の研究を行った。本研究の成果を以下に述べる。1.FeSi/SiO_2、ZnO/FeSi二層膜〔110〕配行させたFeSi膜について測定を行った。非磁性誘電体中間膜の場合、層間の交換相互作用は極めて弱く、ZnO膜では5A程度の膜でも層間相互作用を無視できる。ZnO膜は柱状構造を有するため、FeSi膜の配行性は良いが、中間層の挿入により誘起された界面歪によると考えられる、マグノン振動数の異常な振舞いが観測された。一方、SiO_2中間層では30A程度から層間の交換相互作用が有効に働くようになるが、FeSi膜の〔110〕配行性は良くない。2.Fe/Si_3N_4/Fe二層膜アモルファス状態のFeについて測定を行った。Si_3N_4中間膜の場合も、膜厚5Aで既に層間交換相互作用を無視できる。膜を450°Cで1時間熱処理してもSi_3N_4層の拡散による多層構造の変化は観測されなかった。ZnO膜で観測されたような界面歪の効果は観測されず、Si_3N_4膜は安定な中間膜材料であることが分かった。3.PtMnSb/CuMnSb/PtMnSb多層膜PtMnSbは室温で強磁性体であり、CuMnSbは55K以下で反強磁性体となる。室温では、マグノンスペクトルに顕著な層間相互作用の効果は認められない。しかし、ネ-ル温度以下では、強磁性層と反強磁性層の間の層間相互作用による磁気構造の変化が期待されるため、低温での測定を現在進めている。

A detailed study on the dependence of the number of vibrations on the external magnetic field and the dependence of the thickness of the interlayer in ferromagnetic/nonmagnetic and antiferromagnetic/ferromagnetic multilayer films was carried out. Determination of the film thickness dependence of the intermediate layer in the special and fixed wave structure. Study of the exchange interaction between ferromagnetic layers. The results of this study are described below. 1. FeSi/SiO_2, ZnO/FeSi bilayer films [110] were prepared and FeSi films were measured. In the case of nonmagnetic dielectric intermediate film, the exchange interaction between layers is very weak, and the film interaction between layers is ignored in ZnO film. ZnO film has columnar structure, FeSi film alignment is good, intermediate layer induced interface deviation, vibration number abnormal vibration is measured SiO_2 interlayer is 30A, and the exchange interaction between layers is good. The alignment of FeSi film is good. 2. Determination of Fe content in Fe/Si_3N_4/Fe bilayer films. Si_3N_4 interlayer film thickness is 5A, the interlayer exchange interaction is ignored. Heat treatment at 450°C for 1 hour for the dispersion of Si_3N_4 layers and the transformation of multilayer structures ZnO film is a stable intermediate film material, while Si_3N_4 film is a stable intermediate film material. 3. PtMnSb/CuMnSb/PtMnSb multilayer films PtMnSb is ferromagnetic at room temperature, CuMnSb is antiferromagnetic at 55K or below. The effect of interlayer interaction at room temperature is recognized. The interlayer interaction between ferromagnetic layer and antiferromagnetic layer is expected to change at low temperature.