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輝度増幅方式によるフェ-ズドアレイ半導体レ-ザ-光のビ-ム整形

亮度放大法相控阵半导体激光光束整形

基本信息

批准号：
01550031
负责人：
黒田和男
金额：
$ 1.28万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01550031/
关键词：
半導体レ-ザ-フォトリフラクティブ効果ビ-ム整形輝度増幅

项目摘要

フォトリフラクティブ結晶中の2光波混合による輝度増幅(光増幅)を用いた半導体レ-ザ-光のビ-ム整形法について、半導体レ-ザ-光源、フォトリフラクティブ結晶、増幅定数の測定法など基本的な研究を行なった。半導体レ-ザ-光源については、10チャンネル、総合出力0.2ワットのフェ-ズドアレイ半導体レ-ザ-を用い、各チャンネルからのビ-ムを干渉させ、コヒ-レンス性を確認した。また、2台の異なる半導体レ-ザ-をインジェクションロックの方式で結合し、2台からのレ-ザ-光を干渉させることにも成功した。これらの実験により、半導体レ-ザ-がフォトリフラクティブ効果を用いたビ-ム整形のために必要な基本的要件を満たすことが確かめられた。次に、フォトリフラクティブ結晶については、強誘電体であるチタン酸バリウムと半導体のリン化カリウムに対して、2光波混合の実験を行ない、増幅定数や応答速度を測定した。特に、リン化ガリウムはわれわれが見つけ出したフォトリフラクティブ結晶であり、高速応答性においてチタン酸バリウムに勝る特性を示すことが確かめられた。しかしフォトリフラクティブ効果の大きさについては強誘電体に劣るので、外部電界法などの導入が必要であり、現在この点について、研究を続行中である。チタン酸バリウムについては、ビ-ムファニング効果のため、従来の増幅定数測定法に問題のあることを見つけ、相互作用長変化法とよぶ新しい測定法を開発した。この方法を用いて測定したところ、従来法による測定値には、最大で2倍もの誤差があることが見つかった。

The basic research on the method of measuring the mixing of two light waves in crystal and amplitude increase (amplitude increase) is carried out by using semiconductor light-light shaping method, semiconductor light-source, crystal and amplitude increase method. Semiconductor-light source selection, 10 In addition, the two different semiconductor devices were combined in an in-chip manner, and the two devices were successfully connected to each other. The basic requirements of semiconductor technology are: The second is to measure the polarization, polarization and polarization of the semiconductor, and the second is to measure the polarization, polarization and polarization of the semiconductor. Special features include high speed response, high speed crystallization, and high reliability. It is necessary to introduce the external electric field method, and the research is in progress. A new method for determination of acid content in the sample was developed. This method is used to determine the maximum error of 2 times.