ダブルビーム光電流法による半導体表面準位・インターギャップ準位の特定
ダブルビーム光電流法による半導体表面準位・インターギャップ準位の特定
批准号:
01750253
负责人:
安住 和久
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1989
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1989 至 --
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会议论文
非常に長いカーボンナノチューブを創る試み
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批准号:15651047
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2003
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负责人:安住 和久
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依托单位:
音響測定法の電極表面現象解析への応用の試み
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批准号:06750840
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1994
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负责人:安住 和久
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依托单位:
STMを応用した電子注入により導入される新しい電気化学反応の研究
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批准号:03750590
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:安住 和久
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依托单位:
走査型光応答電流法の開発と腐食系への応用
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批准号:62750689
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1987
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负责人:安住 和久
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依托单位:
LB膜重合法による高分子化合物被覆電極の作製とその応用
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批准号:61750773
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1986
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负责人:安住 和久
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依托单位: