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光MOVPEによる広エネルギーギャップ半導体薄膜の低温成長に関する研究

光MOVPEによる広エネルギーギャップ半導体薄膜の低温成長に関する研究
光学MOVPE低温生长宽能隙半导体薄膜研究
批准号：
01750262
负责人：
平松 和政
金额：
$0.64万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01750262/
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炭化ケイ素を用いた高品質窒化物半導体によるシリコン基板上短波長半導体レーザの実現
  • 批准号：
    11F01357
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.9万
  • 财政年份：
    2011
  • 负责人：
    平松 和政
  • 依托单位：
    Mie University
無極性窒化アルミニウム基板の結晶成長と深紫外線発光ダイオードの作製
  • 批准号：
    07F07375
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    2007
  • 负责人：
    平松 和政
  • 依托单位：
    Mie University
HVPE成長した窒化アルミニウム上への紫外線発光ダイオード作製に関する研究
  • 批准号：
    06F06113
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $1.54万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    平松 和政
  • 依托单位：
    Mie University
選択成長を用いたGaNバルク単結晶の高品質化に関する研究
  • 批准号：
    07650011
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.15万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    平松 和政
  • 依托单位：
    Nagoya University