極低温,超高圧下における高感度磁化測定

极低温、超高压下的高灵敏度磁化强度测量

• 批准号: 02554008
• 负责人: 天谷 喜一
• 金额: $ 7.87万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 1992
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02554008/
• 关键词: 極低温超高圧; 高感度磁化測定; 圧力誘起相転移; 静水圧限界

本年度における研究実積は以下の通りである。1.50万気圧以上の超高圧下,50mK以下の極低温迄物質を冷却する。2.上記の複合極端条件下において、物質の磁性を高感度に測定する新しい方法を確立する。3.同様に、電気抵抗測定技術を確立する。4.以上の技術開発の成果を物性測定に適用し、物性の新しい側面を発見する。等の目標を達成した。具体的な内容を以下に記す。1.60万気圧の超高圧を発生可能な非磁性小型ダイヤモンドアンビルセルを開発し、かつこの圧力セルを50mKの極低温に迄冷却する技術を確立した。(天谷.遠藤.小野寺)温度上昇・下降の過程でのダイヤの破壊防止が課題として残った。2.従来の直流法磁化検出技術を確立し、更に検出コイルを圧電素子を用いて振動させた交流法磁化検出法を高感度磁束計SQUIDに組み合わせた微分磁化測定技術を確立した。又、常伝導線の検出コイルを用いた通常の交流法磁化率測定にも成功し、強磁場下での磁気測定も可能とした。3.高圧下試料の電気抵抗測定法としてガスケットを分割した2端子測定法に代えて、ピンホールガスケット内試料の4端子電気抵抗測定に成功、測定圧力限界を60万気圧迄延ばした。更にダイヤの圧力発生面に直接リソグラフ加工を行い、100万気圧以上の超高圧下電気的測定を目指している。4.具体的な物性測定例として、圧力下固体ヨウ素の単原子金属相における圧力誘起超伝導の発現観測に成功した。超伝導転移温度は28万気圧下でTc=1.25Kであった。Tcの外部磁場依存性、圧力依存性が調べられた、結果の一部は公表した。現在、ヨウ素の更に高い圧力相での超伝導探索を行っている。

This year's research has accumulated the following information. 1.50 million pressure above the ultra-high pressure, 50 mK below the extremely low temperature material cooling. 2. A new method for the determination of magnetic properties of materials under complex extreme conditions has been established. 3. In the same way, electrical resistance measurement technology has been established. 4. The results of the above technical development are applicable to the determination of physical properties, and the new characteristics of physical properties are disclosed. The goal is achieved. The specific contents are as follows. 1.60 million pressure ultra-high pressure generation is possible, non-magnetic small size, high pressure and ultra-low temperature cooling technology has been established. (Sky Valley. Endo. Onodera) The process of temperature rise and fall is a problem to prevent damage. 2. The DC magnetization detection technique has been established, and the differential magnetization detection technique has been established. In addition, the measurement of magnetic susceptibility by AC method is successful, and the magnetic field measurement under strong magnetic field is possible. 3. The electrical resistance measurement method of the sample under high pressure is divided into 2-terminal measurement method. The 4-terminal electrical resistance measurement of the sample under high pressure is successful. The pressure limit is determined to 600,000. In addition, the direct processing of pressure development and the measurement of ultra-high voltage above 1 million pressure are indicated. 4. Specific physical properties of solid phase under high pressure were measured successfully. Temperature of transition Tc = 1.25K at 280,000 ° C. Tc external magnetic field dependence, pressure dependence, the results are partly contrary to the table Now, it is necessary to explore the relationship between high pressure and high pressure.