アモルファスGaPの青色発光機構の解明とド-ピング効果に関する研究

非晶GaP蓝色发光机理的阐明及掺杂效应研究

• 批准号: 02650016
• 负责人: 大貫 正實
• 金额: $ 1.54万
• 依托单位: Kumamoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02650016/
• 关键词: アモルファス; GaP; ド-ピング; 水素導入; pn接合; 発光

[ノンド-プaーGaP:H(n型)]/[結晶GaP(p型)]・接合で観測される逆バイアス時での青色発光スペクトラムの温度依存性及びそのアニ-ルによるスペクトラム変化特性と,ノンド-プaーGaP:H薄膜の交流光電導の振幅,位相の照射波長依存性を比較することにより,この青色発光は移動度端間の電子正孔の再結合として説明されると結論した.ただし,この場合aーGaP:Hは反応性蒸着法(RE)による.次にpn制御に不可欠のド-ピング効果を研究した.まずp型aーGaP:H薄膜を作成するために,Zn粉末をノンド-プ多結晶GaP粉末に混入して,これをそのまままたはシンタ-したものを原材料として反応性蒸着をした場合について調べた.薄膜試料におけるZnの含有量はEPMA測定により確かめ,その結合状態はESCA測定より評価した.非晶質薄膜をn型の結晶GaP上に形成しそのその整流性を調べp型の判定を行った.結果より我々の行ったRE法においてもZnがド-プされp型になる事が判った.特にシンタ-原材料を使ったものは比較的良好な整流特性を示す.一般に,Znド-プGaP中では4配位のZnは少なく,Znド-ピング効果は必ずし良くない様である.しかし一応RE法によりp型薄膜が得られたことは一つの収穫であった.さらに第一次的トライとして,Zn粉末を混入した多結晶GaPを原材料とした水素ガス中スパッタ法(SP)によるp型ーGaPと,RE法Siド-プn型aーGaP:Hの接合を作成した.その整流性は余り良くない.しかし光起電圧効果が観察されそのスペクトラムは水素添加のないRE法aーGaPの交流光電導スペクトラムに近い.恐らくSP法p型aーGaPは水素添加効果が少ないと思われる.現在上述のRE法のみによる非晶質pn接合の作成が行われている.

Temperature Dependence and Phase Dependence of AC Photoconductivity of GaP:H Thin Films on the Phase and Amplitude of GaP:H Thin Films under Irradiation Wavelength A GaP:H is a reverse evaporation method (RE). Next, we studied the effects of D-PC programming, which is indispensable for pn control. In order to prepare a p-type GaP:H thin film,Zn powder is mixed with polycrystalline GaP powder, and the raw material is mixed with reactive steam. The Zn content of the film sample is determined by EPMA, and the binding state is evaluated by ESCA. Amorphous thin films are formed on n-type and crystalline GaP. As a result, the method of "RE" was used to determine the content of Zn in the p-type. Special features of the raw materials are shown in the comparison of good rectification characteristics. In general,Zn in Zn-GaP is 4-coordinated and Zn in Zn-GaP is 4-coordinated,Zn in GaP is 4-coordinated and Zn in GaP is 4-coordinated. The p-type thin film was obtained by a single method. For the first time,Zn powder was mixed into polycrystalline GaP raw materials, and the p-type GaP was prepared by SP method and RE method. The rectification property is good. The effect of photovoltage generation is observed by the method of AC photoconductive selection. SP method p-type a-GaP water element addition results in less thinking. Now the RE method is used to make amorphous pn junction.

项目成果

大貫 正實: "aーGaP:Hの電界発光" 電子情報通信学会信学技報. ED21. 41-46 (1990)

Masami Onuki：“a-GaP:H 的电致发光”IEICE ED21 (1990)。