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計算物理学,計算化学的方法による半導体表面の研究

計算物理学,計算化学的方法による半導体表面の研究
利用计算物理和计算化学方法研究半导体表面
批准号：
02740175
负责人：
野々山 信二
金额：
$0.51万
依托单位：
The Institute of Physical and Chemical Research
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-02740175/
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第一原理バンド計算によるGaAs表面-吸着子相互作用の研究
  • 批准号：
    05740203
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.64万
  • 财政年份：
    1993
  • 负责人：
    野々山 信二
  • 依托单位：
    Nagoya University
計算物理学,計算化学的方法による半導体表面の研究