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ラマン散乱トモグラフィーによる混晶半導体内の組成比・結晶構造の変動の研究

ラマン散乱トモグラフィーによる混晶半導体内の組成比・結晶構造の変動の研究
利用拉曼散射断层扫描研究混晶半导体的成分比和晶体结构变化
批准号:
02750015
负责人:
坂井 一文
金额:
$0.51万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1990
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1990 至 --
关键词:

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ラマン散乱トモグラフィーによる格子欠陥発生過程のその場観察
  • 批准号:
    03750016
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1991
  • 负责人:
    坂井 一文
  • 依托单位:
半導体内の転位にトラップされている電子による赤外光の散乱と吸収
  • 批准号:
    01750023
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额:
    $0.58万
  • 财政年份:
    1989
  • 负责人:
    坂井 一文
  • 依托单位: