反応性スパッタリング法による薄膜作製時のグロー放電計測と窒化物薄膜の物性制御
反応性スパッタリング法による薄膜作製時のグロー放電計測と窒化物薄膜の物性制御
使用反应溅射法制备薄膜过程中的辉光放电测量以及氮化物薄膜的物理性能控制
批准号：
02750555
负责人：
井上 尚三
金额：
$0.51万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
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磁場印加反応性スパッタリング法による高品位硬質窒化物薄膜の高速成長
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批准号：09750123
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$1.54万
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财政年份：1997
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负责人：井上 尚三
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依托单位：