ホウ素固体の電子構造および物性
ホウ素固体の電子構造および物性
硼固体的电子结构和物理性质
批准号：
02952059
负责人：
畠山 哲夫
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
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会议论文
Elucidation of the physical origin of the dominant scattering mechanism of electron mobility in SiC MOS interfaces
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批准号：23K03928
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2023
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负责人：畠山 哲夫
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依托单位：