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格子不整合半導体結晶の成長機構解明と量子化デバイスへの応用に関する研究
晶格失配半导体晶体生长机制的阐明及其在量子化器件中的应用研究
基本信息
- 批准号：02952151
- 负责人：
- 金额：$ 0.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
- 财政年份：1990
- 资助国家：日本
- 起止时间：1990 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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As2を利用した700℃以上成長温度でのフォトカソード構造AlGaAs/GaAs超格子MBE成長
光电阴极结构 AlGaAs/GaAs 超晶格 MBE 生长，生长温度超过 700℃
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西谷智博
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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鈴木 玲士;石川 史太郎;本田 杏奈;佐藤 大樹;小泉 淳;西谷 智博;田渕 雅夫;西谷智博;西谷智博 - 通讯作者：
西谷智博
The study of switching of the multipolar order parameters in PrTi2Al20 investigated by electric transport measurements under the magnetic field
磁场下电输运测量PrTi2Al20多极有序参数切换研究
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Takachika Isomae
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{{ truncateString('田渕 雅夫', 18)}}的其他基金
X線CTR散乱法による異種接合半導体表界面の結晶構造評価
X射线CTR散射法评价异质结半导体表面界面的晶体结构
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相似海外基金
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CDT 第 1 年，预计 2024 年 10 月
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