MOMBE法による超高濃度P形GaAsの成長と物性評価並びにデバイスへの応用
MOMBE法による超高濃度P形GaAsの成長と物性評価並びにデバイスへの応用
MOMBE法超高浓度P型GaAs的生长、物性评价及器件应用
批准号：
02952149
负责人：
山田 巧
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (Research Fellowship)
财政年份：
1990
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1990 至 --
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