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高抵抗半導体中の深い準位の新評価法:等温下変調光導電率分光法の開発

高抵抗半導体中の深い準位の新評価法:等温下変調光導電率分光法の開発
评估高阻半导体深层能级的新方法：等温调制光电导光谱的发展
批准号：
03750223
负责人：
服部 公則
金额：
$0.58万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1991
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1991 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-03750223/
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アモルファスSiにおける欠陥の膜中分布評価・膜内ストレスと血管発生の因果関係解明
  • 批准号：
    09750356
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1997
  • 负责人：
    服部 公則
  • 依托单位：
    Osaka University
光変調電子スピン共鳴によるアモルファスシリコンの局在準位評価
  • 批准号：
    08750367
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1996
  • 负责人：
    服部 公則
  • 依托单位：
    Osaka University
アモルファス半導体の欠陥光吸収の厳密評価:低エネルギー域変調光電流分光法の開発
  • 批准号：
    07750357
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    服部 公則
  • 依托单位：
    Osaka University
周波数分解タイムオブフライト法によるアモルファスSiダイオードの担体輸送特性評価
  • 批准号：
    06750322
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 资助金额：
    $0.58万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    服部 公則
  • 依托单位：
    Osaka University