Rauschoptimierte, ungekühlte Schottkydioden-Mischer für den höheren Terahertz-Bereich

In höheren THZ-Bereich gibt es derzeit努尔sehr begrenzte Möglichkeiten，hochempfindliche radiometrische Messungen durchzuführen. Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens soll der Einsatellite reich für ungekühlte Schottkydioden-Mischer über die bisher etablerten Höchstfrequenzen von 2.5 THz hinaus erschlossen韦尔登.在一个第一个Schritt中，我们解决了影响韦尔登加工过程参数的问题。这种测量需要一个带有0.5 µm阳极氧化传感器的蜂窝-肖特基二极管，在4.7 THz频率下的Hinblick上，也可以使用带有0.25 µm阳极氧化传感器的二极管进行韦尔登。然后，在确定柴油机的转速和转速的基础上，对柴油机的参数系统进行优化。Hierfür soll ein rechnergesteuerter，automatisierter Meßplatz zur Rauschcharakterisierung zum Einquirkommen.在另一个Schritt的新概念中，我们可以将微波和肖特基二极管集成到一个韦尔登结构中。Dies soll einerseits die Zuverlässigkeit erhöhen und andererseits den manuellen Fabrikationsaufwand reduzieren helfen.在2，5 THz和4，7 THz的微波辐射计的研制过程中，对微波器件的建模和模拟进行了初步的研究，并对韦尔登进行了验证。

Im höheren THz-Bereich gibt es derzeit nur sehr begrenzte Möglichkeiten, hochempfindliche radiometrische Messungen durchzuführen. Im Rahmen dieses Forschungsvorhabens soll der Einsatzbereich für ungekühlte Schottkydioden-Mischer über die bisher etablierten Höchstfrequenzen von 2,5 THz hinaus erschlossen werden. Dabei sollen in einem ersten Schritt wichtige Erkenntnisse über den Einfluß von Parametern des Herstellungsprozesses auf die Dioden gewonnen werden. Diese Untersuchungen sollen an whiskerkontaktierten Honeycomb-Schottkydioden mit Anodendurchmessern von zunächst 0,5 µm, im Hinblick auf einen Einsatz bei 4,7 THz später aber auch an Dioden mit nur 0,25 µm Anodendurchmesser durchgeführt werden. Nachdem insbesondere das Rauschverhalten und die Reproduzierbarkeit der Dioden mit steigender Grenzfrequenz aufgrund der sinkenden Abmessungen kritischer werden wird, sollen diese Parameter systematisch untersucht und optimiert werden. Hierfür soll ein rechnergesteuerter, automatisierter Meßplatz zur Rauschcharakterisierung zum Einsatz kommen. Aufbauend auf den gewonnenen Erkenntnissen soll in einem weiteren Schritt ein neues Konzept zur Integration von Antenne und Schottkydiode auf einer Membranstruktur untersucht werden. Dies soll einerseits die Zuverlässigkeit erhöhen und andererseits den manuellen Fabrikationsaufwand reduzieren helfen. Insgesamt erstrecken sich die geplanten Arbeiten von der Modellierung der Mischerdioden und der Simulation des Empfängersystems über die Prozessoptimierung bei der Herstellung von whiskerkontaktierbaren und planar integrierten Schottkydioden sowie deren Charakterisierung bis hin zum Aufbau von Laborradiometern bei 2,5 THz und 4,7 THz, mit denen die erreichten Dioden-Eigenschaften verifiziert werden sollen.