空孔が規則配列したIII-VI族化合物半導体のバンド構造評価
空孔が規則配列したIII-VI族化合物半導体のバンド構造評価
规则空位排列的III-VI族化合物半导体的能带结构评估
批准号：
04750008
负责人：
岡本 保
金额：
$0.45万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
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会议论文
インジウム・セレン多結晶薄膜の構造制御と薄膜太陽電池への応用
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批准号：15760012
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.98万
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财政年份：2003
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负责人：岡本 保
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依托单位：
In_2Se_3多結晶薄膜を用いた高効率薄膜太陽電池の開発
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批准号：13750006
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2001
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负责人：岡本 保
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依托单位：
ガリウムセレンを絶縁膜に用いたガリウムひ素MIS型トランジスタに関する基礎研究
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批准号：07750341
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1995
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负责人：岡本 保
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依托单位：