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量子ビーム照射によって化合物半導体表面に生成された欠陥の,LB膜による制御

量子ビーム照射によって化合物半導体表面に生成された欠陥の,LB膜による制御
使用LB膜通过量子束照射控制化合物半导体表面产生的缺陷
批准号：
04780226
负责人：
浅井 圭介
金额：
$0.58万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1992 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-04780226/
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Development of innovative thermoluminescence materials using dielectric phase transition
  • 批准号：
    21H01853
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $10.48万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    浅井 圭介
  • 依托单位：
    Tohoku University
磁力支持天秤装置の制御と計測技術に関する研究開発
  • 批准号：
    14F04756
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额：
    $0.7万
  • 财政年份：
    2014
  • 负责人：
    浅井 圭介
  • 依托单位：
    Tohoku University
非定常圧力場可視化計測のための超高感度感圧分子センサの開発
  • 批准号：
    20656031
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.24万
  • 财政年份：
    2008
  • 负责人：
    浅井 圭介
  • 依托单位：
    Tohoku University
多重量子井戸構造を利用した新規高性能シンチレーター材料の開発