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EDT-TTFを用いた導電性電荷移動LB膜の作製・物性評価

使用 EDT-TTF 制备导电电荷转移 LB 薄膜并进行物理性能评估

基本信息

批准号：
05750009
负责人：
大貫等
金额：
$ 0.51万
依托单位：
東京商船大学
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

研究実施計画に述べたアニオン置換効果の準備段階として[EDT-TTF(SC_<18>)_2]_2I_3の単結晶化を行った。なぜなら、このLB(Langmuir-Blodgett)膜を取り上げたこれまでの研究からでは、具体的にどのようなEDT-TTF部のカラム構造が形成され、膜の導電性が引き起こされているのが未知であり、この点を明らかにするためには単結晶を用いて詳細な物性測定を行うのが最適であろうと考えられるからである。なお、このようなアプローチはこれまでのLB膜研究においてほとんどなされていない。結晶化はジクロルエタン溶媒中に(TBA)I_3を支持電解質とした電解法を用いて行われ、2muAの低電流下で微小な単結晶を得ることに成功した。X線回析より結晶とLB膜は同じ積層周期を持った同一の構造を有していることが明らかになり、a=5.4Å,b=10.5Å,c=45A90の斜方晶構造を形成しているのが単色ラウエ測定より決定された。さらに直流電気抵抗-温度特性では室温以下で半導体的な振舞いを示すが、310K付近で金属-半導体転移を引き起こしているのが観測された。上記の実験結果のうち、特にa軸、b軸の格子定数の値は、伝導面内の構造が分子内のアルキル鎖部のパッキングによって決定されている事を示唆している。従ってより良質な機能性LB膜を得るには、従来までの分子自体の両親媒性のみを主に考慮したLB膜化の描像を改め、アルキル鎖部のパッキングに従って機能性部がどのように配置せられるかをも考慮すべきであろうと考えられる。

Study on the preparation stage of [EDT-TTF(SC_<18>)_2]_2I_3 in the implementation plan LB(Langmuir-Blodgett) films were selected for the study of the formation of EDT-TTF structures, the conductivity of the films, and the detailed physical properties of the films. In the research of LB films, there are many problems. Crystallization is carried out successfully in the presence of (TBA)I_3 as a supporting electrolyte and in the presence of electrolysis at a low current of 2muA. X-ray analysis shows that crystals and LB films are formed in the same structure with the same layer period, a=5.4, b=10.5, c= 45A90 and orthorhombic structure with the same layer period. The DC resistance versus temperature characteristics are measured below room temperature for semiconductor vibration and near 310K for metal-semiconductor transition. The above results show that the lattice constant values of the a-axis and b-axis, the structure in the conduction plane, and the structure in the molecular chain are determined. The molecular affinity of the LB film itself is mainly considered to be improved, and the functional part is considered to be arranged.