高効率・低コストアモルファスSi11多結晶Siタンデム型太陽電池の最適化研究

高效率、低成本非晶Si11多晶硅叠层太阳能电池优化研究

• 批准号: 06750282
• 负责人: 馬 うぇん
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750282/
• 关键词: ヘテロ接合; BSF効果; 裏面再結合速度

低コスト・高効率太陽電池実用化には低温製作プロセスが重要な基本技術であり、その実現に向けて薄膜ポリシリコンの開発研究が精力的に進められようとしている。。本研究はプラズマCVD法によるμc-SiC/ploy-Siヘテロ接合構造は単純でしかも低温製作という特徴から、将来の薄膜ポリシリコン太陽電池の製造の基盤技術として期待されている。a-Si/poly-Siタンデム型太陽電池の下部セルはμc-SiC/poly-Siヘテロ接合から構成され、現在までにAM1照射光で17.2%の効率が得られている^<1)>。しかし、出力特性からみると、まだまだ改善される余地が十分に残されている。こう言ったセルにおいては各構成層を個別に最適化した場合でも、その性能は各界面特性により大きく左右されている。特に曲線因子への影響は顕著である。我々は従来の構造において裏面にハイドープnμc-Siを挿入することによりすべての出力パラメータ、特にFFが大きく改善されることを明らかにし、これはBSF効果に基づく裏面再結合速度の減少によるものと推論した。本年度は、まず光学的な理論設計からはじめ、これを実際に検証するとともに、各セル構成膜の物性値と厚さの最適値を決定した。理論計算と対応する実験結果は一致することを確認し、各構成層の最適範囲を決定した。また、裏面にn μc-Si薄膜を挿入することにより、大きく出力特性が改善されることをすでに報告しているが、今回、その効果の一つは裏面再結合速度の低減によるものであることを確認した。裏面に高導電性を有する微結晶シリコンを挿入することによる性能向上が再結合速度の減少によるものであることが判明、裏面再結合速度はほぼ1桁に渡って減少し、約80cm/S程度であることが分かった。

The development of low-temperature and high-efficiency solar cells is an important part of the development of low-temperature solar cells. In this study, the substrate technology for the production of thin film SiC/ploy-Si solar cells is expected to be developed in the future. The lower part of the a-Si/poly-Si hybrid solar cell is composed of a μc-SiC/poly-Si junction, and now the efficiency of 17.2% under AM1 irradiation light is obtained. There is a lot of room for improvement in output characteristics. In this case, each component layer is optimized individually, and the performance of each interface is optimized. Special curve factors affect the development of the system. The structure of BSF is different from that of BSF. The structure of BSF is different from that of BSF This year, the theoretical design of the optical system is to determine the optimum value of the physical properties of the constituent films. The results of theoretical calculation are consistent with those of the determination of the optimum range of each component. In addition, we report that the n μc-Si thin film has been incorporated into the inner surface, and the power characteristics of the substrate have been improved. This time, we confirm that one of the results is the reduction in the recombination speed inside. The inner surface has a high conductivity, and the micro-crystal structure has a high conductivity. The inner surface has a high conductivity, and the micro-crystal structure has a high conductivity. The inner surface has a high conductivity, and the inner surface has a high conductivity.

项目成果

馬うぇん: "Microcrystalline Silicon Carbide-New useful material for improvement of solar cell performance" Solar Energy Materials and Solar Cells. Nos.(1〜4)34. 401-407 (1994)

Mawen：“微晶碳化硅-改善太阳能电池性能的新型有用材料”《太阳能材料和太阳能电池》Nos.(1-4)34 (1994)。