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低交換相互作用によるナノスピンクラスターを利用した超高密度磁気記録薄膜媒体の研究

低交换相互作用纳米自旋簇超高密度磁记录薄膜介质研究

基本信息

批准号：
06750301
负责人：
島津武仁
金额：
$ 0.51万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1994
资助国家：
日本
起止时间：
1994 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750301/
关键词：
磁気記録薄膜媒体結晶磁気異方性交換相互作用交換定数

项目摘要

(Co_<92.5-X>Ni_XCr_<7.5>)_<100-Y>Pt_Y(X=10〜40,Y=0〜15)を磁性層として作製した薄膜媒体の、結晶磁気異方性、交換定数および粒間相互作用について検討し、ナノスピンクラスターを利用した超高密度磁気記録媒体の実現に関する基礎物性的な検討を行なった。その結果、X=25〜30at%程度のNi組成域においてY=9at%程度までPt量を増加させることで、結晶磁気異方性は2倍程度増加し、粒間の交換相互作用は1/2程度まで低減することが、回転ヒステリシス損失およびΔMプロットの測定より明らかとなった。特にPtの添加による交換相互作用の低下は真性的な交換定数の低下に主に起因しており、本材料系を用いた場合には、9at%以上のPtを添加した組成域がナノスピンクラスターの形成に適していることが明らかとなった。スピンクラスターの大きさについて磁気的に評価するため、本材料系を始めとする各種のCo基薄膜媒体について、薄膜磁気ヘッドを用いたDC erased noise量の計測を行なった。その結果、結晶粒間の交換相互作用の低減にともないDC erased noiseの極大値が低減し、スピンクラスターの大きさが小さくなっていることが明らかとなった。しかし、CoNiCrPt材料系を用いた場合には、Ptの添加により交換相互作用が低下するものの、結晶粒の磁化容易軸(c軸)が膜面内から膜法線方向へと徐々に変化してしまい、膜面内の磁化機構が変化してしまうことが明らかとなった。本材料系を用いたナノスピンクラスターの安定形成には、c軸を膜面に平行に配向させ、さらに、結晶粒径を低減することが、今度の課題となることを明らかにした。

(Co_<92.5-X>Ni_XCr_<7.5>) _ & lt;100-Y&gt Pt_Y (X-ray 1040-015) magnetic devices are used to analyze the film media, crystal magnetic properties, interaction between particles, and the use of ultra-high-density magnetic recording media to detect the physical properties of the substrate. The results of the experiment, the degree of Ni of X2530at%, the degree of Pt of Yat%, the degree of magnetic property of crystal, the degree of interaction between particles and the degree of interaction between particles are different from each other. The results show that the degree of interaction between particles is high, and the degree of interaction between particles is very low. The main cause of the fact that the interaction is low in the Pt system, the main cause of the low level of interaction is the main cause of the interaction, the main cause of the interaction is the low level of the interaction, the main cause of the interaction is the main cause of the interaction, the main cause of the interaction is the low level of the interaction, the main cause of the interaction is the main cause of the interaction, the main cause of the interaction is the low level of the interaction, the main cause of the interaction is the main cause of the interaction. This material is used for all kinds of Co-based film media, and for thin-film magnetism. The DC erased noise measurement method is used in this paper. The results, the interaction between grains, the low temperature, the high temperature, the high temperature, the low temperature, the high temperature, the high temperature, The materials of CoNiCrPt and CoNiCrPt are used to combine the film, the Pt is added to the interaction between the two, and the crystal grain is easy to be magnetized. (C) the film is easy to be magnetized in the direction of the normal line of the film. This material is used to determine the stability of the film, the parallel orientation of the film, the low grain size of the crystal, and the current problem.