C60およびC70大型単結晶の育成とその完全性の評価

C60和C70大单晶的生长及其完整性评价

• 批准号: 06750682
• 负责人: 橘 勝
• 金额: $ 0.58万
• 依托单位: Yokohama City University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-06750682/
• 关键词: C60結晶; C70結晶; X線トポグラフィ; エッチング法; 気相成長

フラーレン大量合成法の発展は、フラーレン結晶に対する物性研究者の関心を高めた。これまでに多くの物性研究が行われている。しかし、これらの物性値は結晶性に大きく左右される。したがって、大型結晶の育成と同時に成長結晶の完全性の評価は、フラーレン結晶の真性の物性を知る上で重要となる。本研究では大型で良質のC60およびC70単結晶を育成し、それらの結晶の完全性を評価することを目的とした。C60原料粉末を十分に昇華精製し、結果として成長したC60の微結晶を大型結晶を育成するための原料として使用した。成長方法は連続引き出し気相成長法を用いた。昇華温度570℃、成長温度530℃、連続引き出し速度10mm/日とした。この成長条件を日数保持することによって、4.5×3.0×1.5mm^3の結晶を育成できた。一方、C70に関しては、設定温度がC60に比べて高くなるが、同様な手順で結晶を育成した。成長結晶の完全性をX線トポグラフィとエッチング法によって評価した。X線トポグラフィは高エネルギー物理学研究所の放射光実験施設のBL-15Bで行った。このX線トポグラフは、結晶の端以外は完全性が高く、転位像が一本一本識別して観察できることを示した。結晶端の不完全な領域は、試料の不適当な取扱による歪みによるものであることがわかった。一方、エッチングは成長結晶をトルエンに1-5秒間浸すことによって行った。このエッチングによる完全性の評価結果はX線トポグラフィによる結果と良い一致を示した。つまり、結晶端以外は比較的完全性が高いことがわかった。さらに、エッチピットの数から結晶成長時に導入される転位の密度を求めた。結果としてC60結晶中の成長転位の密度は10^4/cm^2であることがわかった。このような本研究における結晶欠陥、特に転位密度の定量化は、今後のフラーレン結晶の種々の物性値を評価する上で重要な知見になると期待される。

In this paper, a large number of synthetic methods are developed, and the results show that the heart of the physical property researcher is very high. The study of physical properties is related to the study of physical properties. The physical properties and the crystallinity of the materials are different from each other. In the same time, the growth of the crystal is complete, and the physical property is very important in the knowledge of the physical property. The purpose of this study is to develop the crystal of C60 and C70 in large scale, and to complete the purpose of this study. The C60 raw material powder is very popular in China, and the results show that the C60 micro-crystal has been developed into a high quality raw material for the use of high quality raw materials. The growth method leads to the use of the phase growth method. The temperature of China is 570C, the growth temperature is 530C, and the speed of connection is 10mm/. Under the condition of growth, the number of days under the condition of growth is maintained, and the baby is bred by 4.5 × 3.0 × 1.5mm ^ 3. One side, C70, set temperature C60, set temperature C60, high temperature, high temperature and high temperature. The growth of the crystal is complete. The method of growth and development is very important. X-ray radiation equipment is used in the BL-15B system of the Institute of Physics. There is a high level of completeness beyond the end of the crystal, and a separate copy of the image is available. Results at the end of the crystal, the field is not complete, and the data is not correct. On the other hand, the growth and growth of both sides, the growth rate of the crystal, the growth rate, the growth temperature, the growth rate, the growth temperature, the temperature, the temperature and the temperature. The results show that the results are good and consistent. There is a high degree of completeness beyond the crystal end of the crystal. In order to determine the density of the data, the results show that the density of the data is calculated for a long time. Results the growth phase density is 10 ^ 4

项目成果

M.Tachibana et al.: "Temperature chepenclence of the micro hardness of C60 crystals." Physical Revieu. B49. 14945-14948 (1994)

M.Tachibana 等人：“C60 晶体显微硬度的温度关系。”