半導体/金属界面の電子輸送障壁形成に及ぼす表面清浄性の影響
半導体/金属界面の電子輸送障壁形成に及ぼす表面清浄性の影響
批准号:
07750036
负责人:
津久井 克幸
金额:
$0.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1995
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1995 至 --
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
本年度の研究実施計画は、以下の2つに大きく分けた。(1)1番目の過程として、表面に真空雰囲気から吸着する元素の影響を取り除くために、極高真空中(<1x10^<-12>Torr)において単結晶下地表面の電子状態の測定を光電子分光法によって行い、吸着子を意識的に導入した場合と比較した。この方法によって、表面不純物が禁制帯中に表面準位を形成することを確認し、現在までに得られている電子輸送障壁の物理化学的な傾向と比較検討した。最終的に、それらの測定結果は、分子軌道法の計算結果と比較検討され、単結晶表面の表面準位と吸着子の及ぼす影響が同定されると考えられた。(2)2番目の過程として、固溶元素の表面準位への影響を評価するために、通常の下地単結晶と固溶元素を結晶成長時に導入した低欠陥の高品位エピタキシャル薄膜を用いて、最表面での電子状態に及ぼす固溶原子の影響を比較した。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
津久井 克幸: "ダイヤモンド/金属界面の電子輸送障壁に及ぼす固溶不純物の影響" 第42回応用物理学関係連合講習会講演予稿集. 2. 371-371 (1995)
Katsuyuki Tsukui:“固溶体杂质对金刚石/金属界面电子传输势垒的影响”第 42 届应用物理协会研讨会论文集 2. 371-371 (1995)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
海外基金