粒界準位の制御による高機能PTCRセラミックスの開発
粒界準位の制御による高機能PTCRセラミックスの開発
通过控制晶界水平开发高性能PTCR陶瓷
批准号：
07750746
负责人：
ヒューブレヒツ ベン.ジョセフ
金额：
$0.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1995 至 --
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
Positive Temperature Coefficient Resistivity(PTCR)セラミックスは大変急激で変則的な抵抗温度係数を持つ材料である。高温超伝導体としてよく知られているGdBa_2Cu_3O_<7-δ>はPTCR材料のひとつである。このPTCR材料に、室温で電圧を印加すると、試料上に局部的な赤熱点が発生することを見出した。この赤熱点は、試料の抵抗率の温度依存性に依存して発生することを解明し、さらに、この赤熱点し酵素イオンの高速拡散に起因すると思われるゆっくりとした移動現象を示した。この過程を追求していく過程で、電流-電圧特性に、特異なヒステリシスが現れることを見出し、このことから、赤熱点の出現と消滅に関する現象の解明に成功した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
海外基金
