パルス磁場による悪性脳腫瘍細胞の増殖動態変化の検討と治療応用への基礎研究

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磁場発生装置の物理的特性を考え照射条件を周波数200Hz、強度20Gaussに固定、培地はCO_2非依存性培地とした。細胞はRat glioma C-6で、実験には全て指数関数的増殖期にあるものを用いた。結果: 1.パルス磁場照射群と非照射群でS期標識率および細胞周期を比較した。S期標識率は24時間照射群と非照射群の細胞を6時間毎にBUdRで標識し標識率の変化を比較、細胞周期時間は最初にBUdRで細胞を15分間標識し、その後照射群と非照射群から4時間毎に細胞を固定、32時間まで追跡しFLSm(fraction of labelled cells in the mid S phase)法で比較した。S期標識率は照射開始6時間後の照射群、非照射群でそれぞれ33.5±3.7%(SE)と23.6±4.0%、12時間後33.2±8.1%と26.0±5.6%、18時間後15.2±4.4%と14.8±4.5%、24時間後20.0±6.4%と15.3±5.2%であった。6時間後でp<0.05と両者間の標識率に有意差を認めた。細胞周期時間は照射群約16時間、非照射群約19時間と約3時間照射群で短縮されていた。2.ヌードマウス皮下に細胞を移植し、Control群、ACNU群、磁場照射群、ACNU群+磁場照射群に分け腫瘍成長曲線を比較した。磁場照射は週3回8時間照射としACNU投与は磁場照射と同日で週3回、投与量は2μg/gとした。ACNU群では成長曲線はCont-rol群を下回り、磁場照射群、ACNU+磁場照射群共に成長曲線はControl群を上回った。