Femtosecond studies of high-field transport in semiconductors used for high-speed devices

用于高速器件的半导体高场输运的飞秒研究

• 批准号: 5277838
• 负责人: Professor Dr. Alfred Leitenstorfer
• 金额: --
• 依托单位: Lehrstuhl für Ultrakurzzeitphysik und Photonik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2002-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5277838?language=en
• 关键词: Femtosecond; studies; field; transport; semiconductors

Durch ultrabreitbandige Terahertz-Spektroskopie soll die Beschleunigung von Ladungsträgern in Halbleiter unter hohen elektrischen Feldern mit einer Zeitauflösung unterhalb 10 fs direkt gemessen werden. Strukturen basierend auf den Materialsystemen InGaAsP (gitterangepaßt auf InP) und Si/SiGe sollen bei resonanter Anregung untersucht werden. Diese Materialien erlauben die Herstellung von Transistoren mit Grenzfrequenzen bis in den THz-Bereich. Im Si sollen zusätzlich Aussagen zur Femtosekunden-Dynamik der Lawinen-Multiplikation bei extrem hohen elektrischen Feldern (MV / cm) gewonnen und ein Vergleich mit GaAs ausgeführt werden. Die aus den geplanten Studien erhaltenen maximalen Geschwindigkeiten und Driftlängen während des nichtstationären Transportregimes, sowie die typischen Zeitskalen für die Stoßionisation sind von großer Wichtigkeit für eine weitere Optimierung vieler Mikrowellen-Bauelemente und von fundamentalem Interesse für Vergleiche mit theoretischen Modellrechnungen. Darüber hinaus soll erkundet werden, welche Strukturen sich zur Erzeugung spezieller elektrischer Transienten für die feldaufgelöste Femtosekundenspektroskopie im fernen bis mittleren Infrarot eignen. Das Projekt beinhaltet starke Komponenten sowohl der grundlagenorientierten, auch auch der angewandten Forschung. Die aus dieser Verzahnung erwachsenden Synergieeffekte sollen in verschiedenen Richtungen optimal genutzt werden.

超宽带太赫兹频谱将在Halbleiter unter hohen electrischen Feldern中实现对Ladungsträgern的统一，并有一个10 fs的直接韦尔登。InGaAsP（InP）材料体系的结构基础和硅/锗硅（Si/SiGe）谐振器的解决方案是韦尔登谐振器。这些材料用于发射频率高于太赫兹波的晶体管。Im Si sollen zusätzlich Aussagen zur Femtosekunden-Dynamik der Lawinen-Multiplikation bei extreme hohen elektrischen Feldern（MV / cm）gewonnen and ein Vergleich mit GaAs ausgeführt韦尔登. Die aus den geplanten speaken erhaltenen maximalen Geschwindigkeiten und Driftlängen während des nichtstationären Transportregimes，sowie die typischen Zeitskalen für die Stoßionisation sind von großer Wichtigkeit für eine weitere Optimierung vieler Mikrowellen-Bauelemente und von fundamentalem Interesse für Vergleiche mit theoretischen Modellrechnungen. Darüber hinaus soll erkundet韦尔登，welche Strukturen sich zur Erzeugung spezieller elektrischer Transienten für die feldaufgelöste Femtosekundenspektroskopie im fernen bis mittleren Infrarot eignen.该项目包含了大量的基础设施，也包括了一些新的研究。这种协同效应在最佳的遗传韦尔登中得到解决。