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Femtosecond studies of high-field transport in semiconductors used for high-speed devices

Femtosecond studies of high-field transport in semiconductors used for high-speed devices
用于高速器件的半导体高场输运的飞秒研究
批准号:
5277838
负责人:
Professor Dr. Alfred Leitenstorfer
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2000
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
1999-12-31 至 2002-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
德国超宽带太赫兹光谱技术在Halbleiter上的应用,在holenelektrischen Feldern下的应用,在holenelektrischen Feldern下的应用,在holenterhalb上的应用,在holenterhalb上的应用。结构基板材料体系:InGaAsP (gitterangepaßt auf InP)和Si/SiGe (ssi /SiGe);Diese Materialien erlauben die Herstellung von transistor, mit Grenzfrequenzen is den THz-Bereich。[1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]1 .研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育,研究植物的生长发育。在德国,我们将为您提供更多的信息,我们将为您提供更多的信息,我们将为您提供更多的信息,我们将为您提供更多的信息,我们将为您提供更多信息。该项目被称为“Komponenten”,是一项由世界上所有国家组成的项目,每个国家都有自己的目标。协同效应是指在最优化的生产过程中所产生的协同效应。
英文摘要
Durch ultrabreitbandige Terahertz-Spektroskopie soll die Beschleunigung von Ladungsträgern in Halbleiter unter hohen elektrischen Feldern mit einer Zeitauflösung unterhalb 10 fs direkt gemessen werden. Strukturen basierend auf den Materialsystemen InGaAsP (gitterangepaßt auf InP) und Si/SiGe sollen bei resonanter Anregung untersucht werden. Diese Materialien erlauben die Herstellung von Transistoren mit Grenzfrequenzen bis in den THz-Bereich. Im Si sollen zusätzlich Aussagen zur Femtosekunden-Dynamik der Lawinen-Multiplikation bei extrem hohen elektrischen Feldern (MV / cm) gewonnen und ein Vergleich mit GaAs ausgeführt werden. Die aus den geplanten Studien erhaltenen maximalen Geschwindigkeiten und Driftlängen während des nichtstationären Transportregimes, sowie die typischen Zeitskalen für die Stoßionisation sind von großer Wichtigkeit für eine weitere Optimierung vieler Mikrowellen-Bauelemente und von fundamentalem Interesse für Vergleiche mit theoretischen Modellrechnungen. Darüber hinaus soll erkundet werden, welche Strukturen sich zur Erzeugung spezieller elektrischer Transienten für die feldaufgelöste Femtosekundenspektroskopie im fernen bis mittleren Infrarot eignen. Das Projekt beinhaltet starke Komponenten sowohl der grundlagenorientierten, auch auch der angewandten Forschung. Die aus dieser Verzahnung erwachsenden Synergieeffekte sollen in verschiedenen Richtungen optimal genutzt werden.
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会议论文
Hochfeldtransport und Terahertz-Oszillationen in Halbleiter-Nanostrukturen
  • 批准号:
    5366498
  • 项目类别:
    Research Grants
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2002
  • 负责人:
    Professor Dr. Alfred Leitenstorfer
  • 依托单位:
Untersuchung der Einflüsse von Quantenkohärenz auf die Relaxation von Nichtgleichgewichts-Ladungsträgern im Halbleiter auf der fs-Zeitskala
国内基金
海外基金
脂滴聚集型小胶质细胞介导的髓鞘病变促进小鼠抑郁样行为及其机制研究
  • 批准号:
    82371528
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    49.00万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    李媛
  • 依托单位:
星形胶质细胞介导的髓鞘吞噬参与慢性脑低灌注白质损伤的机制研究
  • 批准号:
    82371307
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    49.00万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    汤耀辉
  • 依托单位: