Oxide-ferromagnet interfaces for spinelectronics

自旋电子学中的氧化物-铁磁体界面

• 批准号: 5281196
• 负责人: Professor Dr. Arthur Ernst
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Theoretische Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2007-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5281196?language=en
• 关键词: Oxide; ferromagnet; interfaces; spinelectronics

Ziel des Teilprojektes B3 ist die theoretische Untersuchung des Tunnelmagnetwiderstands einer tunneljunction, bestehend aus einer zwischen zwei ferromagnetischen Metallelektroden eingefügten isolierenden Barriereschicht (Jullièrescher Effekt).Dieses Thema ist Bestandteil der Magnetoelektronik, einem Forschungsbereich, der wegen seiner grundlegenden Bedeutung und dem damit verbundenen hohen Potential technologischer Anwendungsmöglichkeiten große Beachtung findet.Bei den für den Einsatz als Barriereschicht in Betracht gezogenen Materialien handelt es sich um einfache nichtmagnetische Metalloxide wie Al2O3 oder MgO oder magnetische Übergangsmetalloxide wie NiO. Die Elektroden bestehen aus 3d-Übergangsmetallen wie z.B. Eisen, Kobalt oder Nickel sowie deren Legierungen.

B3隧道磁致伸缩器的理论研究是一个隧道结，由两个铁磁金属电极组成的一个隔离势垒（Jullièrescher Effekt）.Dieses Thema ist Bestandteil der Magnetoelektronik，einem Forschungsbereich，der wegen seiner grundwesten Bedeutung und dem damit verbundenen hohen Potential technologischer Anwendungsmöglichkeiten große Beachtung findet.Bei den für den Einstrumental Barriereschicht在Betracht gezogenen Materialien handelt es sich um einfache nichtmagnetische Metalloxide wie Al2O3 oder MgO oder magnetische ubergangsmetalloxide wie NiO.电火花加工最好用z.B.的3d超硬金属。例如，钴或镍都是很好的。