Oxide-ferromagnet interfaces for spinelectronics

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Ziel des Teilprojektes B3 ist die theoretische Untersuchung des Tunnelmagnetwiderstands einer tunneljunction, bestehend aus einer zwischen zwei ferromagnetischen Metallelektroden eingefügten isolierenden Barriereschicht (Jullièrescher Effekt).Dieses Thema ist Bestandteil der Magnetoelektronik, einem Forschungsbereich, der wegen seiner grundlegenden Bedeutung und dem damit verbundenen hohen Potential technologischer Anwendungsmöglichkeiten große Beachtung findet.Bei den für den Einsatz als Barriereschicht in Betracht gezogenen Materialien handelt es sich um einfache nichtmagnetische Metalloxide wie Al2O3 oder MgO oder magnetische Übergangsmetalloxide wie NiO. Die Elektroden bestehen aus 3d-Übergangsmetallen wie z.B. Eisen, Kobalt oder Nickel sowie deren Legierungen.