磁場による超伝導臨界温度の上昇=超伝導と電子局在の対破壊の競合

(1) Au-Ge系の二次元局在と磁場による超伝導臨界温度の上昇 (鈴木孝夫)蒸着装置の上部に乗せた稀釈冷凍器の運転性能が当初50mk迄冷却可能だった状態が150mK迄しか冷却できなくなり、現在、その原因を調査中であり、再調整を行っている。(2)Au-Si系二次元超伝導体への拡張(鈴木孝夫)Si(100)基板上にAuを蒸着した時のRHEED観察を行い、1原子層以上蒸着すると、エピタキシ-成長せずに、多結晶成長することが確認された。この傾向は、900Kまではほとんど温度によらない。現在、エピタキシ-成長温度の確認をすすめている。(3)RHEEDによる非晶質a-Geと貴金属との界面の反応(坪井猛文)室温で、非晶質Ge上にAuを蒸着すると蒸着中に反応しSi(100)基板上で格子整合をした結晶化過程がみいだされた。(4)理論的研究(山田耕作、池田隆介)平均自由行程と同程度の薄膜に平行に磁場を印加した場合の拡散項の取り扱いを超伝導に対する軌道対破壊との整合性の上で検討を試みている。さらに、超伝導転移温度の巾の中で負の磁気抵抗の存在の可能性を検討中である。

(1) Au-Ge系の二次元局在と磁場による超伝導臨界温度の上昇 (鈴木孝夫)蒸着装置の上部に乗せた稀釈冷凍器の運転性能が当初50mk迄冷却可能だった状態が150mK迄しか冷却できなくなり、現在、その原因を調査中であり、再調整を行っている。(2)Au-Si系二次元超伝導体への拡張(鈴木孝夫)Si(100)基板上にAuを蒸着した時のRHEED観察を行い、1原子層以上蒸着すると、エピタキシ-成長せずに、多結晶成長することが確認された。この傾向は、900Kまではほとんど温度によらない。現在、エピタキシ-成長温度の確認をすすめている。(3)RHEEDによる非晶質a-Geと貴金属との界面の反応(坪井猛文)室温で、非晶質Ge上にAuを蒸着すると蒸着中に反応しSi(100)基板上で格子整合をした結晶化過程がみいだされた。(4)理論的研究(山田耕作、池田隆介)平均自由行程と同程度の薄膜に平行に磁場を印加した場合の拡散項の取り扱いを超伝導に対する軌道対破壊との整合性の上で検討を試みている。さらに、超伝導転移温度の巾の中で負の磁気抵抗の存在の可能性を検討中である。