(775)BGaAs基板上に分子線結晶成長した自然形成型高密度GaAs量子細線

(775) 通过分子束晶体生长在 BGaAs 衬底上自然形成的高密度 GaAs 量子线

基本信息

  • 批准号:
    98J00910
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    1998
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1998 至 1999
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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