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電気化学プロセスによる金属-化合物半導体界面の制御とその電子デバイスへの応用

電気化学プロセスによる金属-化合物半導体界面の制御とその電子デバイスへの応用
电化学过程控制金属-化合物半导体界面及其在电子器件中的应用
批准号：
98J02746
负责人：
佐藤 威友
金额：
$1.73万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 2000
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-98J02746/
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窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
  • 批准号：
    23K26131
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.57万
  • 财政年份：
    2024
  • 负责人：
    佐藤 威友
  • 依托单位：
    Hokkaido University
窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発
  • 批准号：
    23H01437
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $12.15万
  • 财政年份：
    2023
  • 负责人：
    佐藤 威友
  • 依托单位：
    Hokkaido University
化合物半導体配列ナノ構造を基盤とする超接合光吸収体の創成と太陽電池応用
  • 批准号：
    21656078
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.98万
  • 财政年份：
    2009
  • 负责人：
    佐藤 威友
  • 依托单位：
    Hokkaido University
ギガ・ノード超高密度量子ナノ集積構造の作製と表面制御技術の開発
  • 批准号：
    16760239
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额：
    $2.37万
  • 财政年份：
    2004
  • 负责人：
    佐藤 威友
  • 依托单位：
    Hokkaido University