Electronic structure of Bi high-Tc superconductors by high-resolution angle-resolved photoemission

通过高分辨率角分辨光电技术研究 Bi 高温超导体的电子结构

• 批准号: 5294846
• 负责人: Professor Dr. Recardo Manzke
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Physik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 1999-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5294846?language=en
• 关键词: Electronic; structure; Bi; Tc; superconductors

Das Ziel unserer Forschung ist ein mikroskopisches Verständnis des Mechanismus der Hochtemperatur-Supraleitung durch experimentelle Untersuchungen der elektronischen Struktur. Hierbei verfolgen wir zwei Strategien: Anwendung von Spektroskopien möglichst hoher Auflösung unter Ausnutzung der Polarisation der Synchrotronstrahlung - im Mittelpunkt steht hier die winkelaufgelöste Photoemission - und systematische Variation der supraleitenden Materialien und ihrer Eigenschaften durch eine eigene Kristallzucht, wobei wir uns hier auf die Bi-Familie mit der Strukturformel Bi2Sr2Ca(n-1)Cu(n)O(2n plus 4 plus d) spezialisiert haben. Die Indizes n und d geben die Anzahl der CuO2-Ebenen pro Einheitszelle und die Löcherkonzentration an, wobei wir inzwischen in der Lage sind, Einkristalle von n = 1 bis 3 herzustellen und die Konzentration der Löcher durch Dotierung mit dreiwertigen Elementen nahezu kontinuierlich zu verändern. Damit stehen Einkristalle mit kritischen Temperaturen bis 110 K zur Verfügung. - Mit den Photoemissionsmessungen am Sychrotron Radiation Center der University of Madison-Wisconsin (USA) sind Untersuchungen der Fermi-Fläche, von Pseudo-Energielücken und der impulsabhängigen Supraleitungslücke des Einschichtmaterials Bi2Sr(2-x)La(x)CuO(6 plus d) geplant. Zukünftige Zusammenarbeiten sollen geplant und abgestimmt werden.

Das Ziel unserer Forschung is ein mikroskopisches Verständnis des Mechanismus der Hochtemperatur-Supraleitung durch experimentelle Untersuchungen der elektronischen Struktur.本文介绍了两种方法：首先，在同步辐射偏振态的激发下，通过本征晶体的光电子能谱和超极化材料的系统性变化，获得了具有Bi_2Sr_2Ca（n-1）Cu（n）O（2n +4 + d）特殊结构的双族材料。该Indizes n and d geben die Anzahl of CuO2-Ebenen pro Einheitszelle and die Löcherkonzentration an，wobei wir inzwischen in der拉格sind，Einkristalle von n = 1 bis 3 herzustellen and die Konzentration der Löcher drotierung mit dreiwertigen Elementen nahezu continuierlich zu verändern.在110 K以下的临界温度下，可以得到稳定的晶体。- 美国麦迪逊-威斯康星大学同步辐射中心的光发射研究主要是对Bi_2Sr（2-x）La（x）CuO（6 + d）晶体材料的费米面、赝能和超脉冲的研究。Zukünftige Zusammenarbeiten sollen geplant and abgestimmt韦尔登。