不純物分布の均一な半導体試料を用いた金属一絶縁体転移における臨界指数の検証
不純物分布の均一な半導体試料を用いた金属一絶縁体転移における臨界指数の検証
使用具有均匀杂质分布的半导体样品验证金属-绝缘体转变的临界指数
批准号：
99J03470
负责人：
渡部 道生
金额：
$1.73万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2000
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極微な超伝導トンネル接合列を用いた電流標準の実現
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批准号：15740190
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$1.92万
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财政年份：2003
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负责人：渡部 道生
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依托单位：