スピンバルブ探針を用いることによってスピン偏極トンネル電流の検出は可能か

是否可以使用自旋阀尖端检测自旋极化隧道电流?

基本信息

  • 批准号:
    11875011
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.34万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2000
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度は,昨年度に作製した超高真空STMを用いて貴金属単結晶表面及びその表面にエビタキシャル成長したCo超薄膜の観察を行った。(1)STMの高さ方向の分解能を,0.002nmに改善し,雑音についても回路の改良等によってノイズレベルを,0.02nm程度に低減した。ノイズとは別にドリフトがあり,走査線間でレベルの変動が見られた。ドリフトの除去については,最小二乗近似による超低周波分の除去を行うとともに,窓関数を定義した畳み込み積分によってクリアなSTM像を得ることができた。(2)面内の分解能についても,ステップ間の段差がやや不鮮明で不十分であったが,走査方向を往復から1方向に変更した結果,バックラッシュによる像のずれがなくなり,0.5nm程度の分解能が得られるようになった。(3)MgO(111)基板上にAg(30nm),Au(60nm)の順に室温でエピタキシャル成長させたAu表面を300℃で超高真空中で熱処理したところ,100nm程度の範囲で原子レベルで平坦なテラスが観察された。また,テラスの端にはステップが見られ,ステップの高さは1原子層のものから数原子層のものまでにわたっていた。(4)上記のAu(111)表面にCoをエピタキシャル成長させ,その表面をSTMで観察した。観察は,0.2nm,0.5nm,1nmと数回,繰り返して行い,Coがどのように成長していくかを観察した。その結果,Coは成長の初期から島状に成長し,その粒径は7から12nm程度の大きさであった。
は this year, yesterday's annual に cropping し た ultra high vacuum STM を with い て precious metals 単 crystal surface and び そ の surface に エ ビ タ キ シ ャ ル growth し た Co ultrathin membrane の 観 examine を line っ た. (1) high STM の さ direction can を の decomposition, 0.002 nm に improve し, 雑 sound に つ い て も loop の improvement に よ っ て ノ イ ズ レ ベ ル を, low degree of 0.02 nm に reduction し た. Youdaoplaceholder0, ノ, ズと, ズと and にドリフトがあ respectively, for the でレベ, でレベ, and <s:1> variations between the lines, see られた. ド リ フ ト の remove に つ い て は, least squares approximation に よ る ultra-low weeks wavelength division line の remove を う と と も に, 窓 masato number を definition し た 畳 み 込 み integral に よ っ て ク リ ア な STM as を る こ と が で き た. (2) the in-plane の can decompose に つ い て も, ス テ ッ の segment difference between プ が や や distinct で not very で あ っ た が, walkthroughs direction を reciprocating か ら に 1 direction - more し た results, バ ッ ク ラ ッ シ ュ に よ る like の ず れ が な く な り, degree of 0.5 nm の decomposition can が ら れ る よ う に な っ た. (3) the MgO style (111) substrate に Ag (30 nm), Au (60 nm) の shun に room-temperature で エ ピ タ キ シ ャ ル growth さ せ た Au surface を 300 ℃ で で in ultra high vacuum hot 処 Richard し た と こ ろ, degree of 100 nm の van 囲 で atomic レ ベ ル で flat な テ ラ ス が 観 examine さ れ た. ま た, テ ラ ス の end に は ス テ ッ プ が see ら れ, ス テ ッ プ の high さ は atomic layer 1 の も の か ら for atomic layer の も の ま で に わ た っ て い た. (4) The surface of the <s:1> Au(111) is recorded as にCoをエピタキシャ た growing させ, and the surface of the そ そ is をSTMで観 observing た. 観 examine は, 0.2 nm and 0.5 nm, 1 nm と number back, Qiao り return し て い, Co が ど の よ う に growth し て い く か を 観 examine し た. As a result, at the initial stage of the growth of Co に, the ら island-like に growth そ, the そ <s:1> particle size <s:1> 7 ら ら12nm size <s:1> large さであった さであった.

项目成果

期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
J.Cho: "Large Kerr Rotation in Ordered CrPt_3 Films"J.Appl.Phys.. 86-6. 3149-3151 (1999)
J.Cho:“有序 CrPt_3 薄膜中的大克尔旋转”J.Appl.Phys.. 86-6。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Ozaki: "Exchange Anisotropy in MBE Grown MnPt/NiFe Bilayers"IEEE Trans.Magn.. Vol.36. (2000)
Y.Ozaki:“MBE 生长的 MnPt/NiFe 双层中的交换各向异性”IEEE Trans.Magn. Vol.36。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Kato: "Magnetic properties of polycrystalline and epitaxial Cr_<1-x>Mn_xPt_3 alloy films"IEEE Trans.Magn.. Vol.37. (2001)
T.Kato:“多晶和外延Cr_<1-x>Mn_xPt_3合金薄膜的磁性”IEEE Trans.Magn. Vol.37。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Sugihara: "Structure and magnetic properties of epitaxial CrPt_3 and Cr_<0.8>Mn_<0.2>Pt_3 alloy films"J.Magn.Soc.Jpn.. vol.25. (2001)
K.Sugihara:“外延CrPt_3和Cr_<0.8>Mn_<0.2>Pt_3合金薄膜的结构和磁性能”J.Magn.Soc.Jpn..vol.25。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
霜山克彦: "MBE法により作製したMnPt/NiFe二層膜の交換異方性"日本応用磁気学会誌. 23-4-2. 1245-1248 (1999)
Katsuhiko Shimoyama:“MBE法制备的MnPt/NiFe双层膜的交换各向异性”日本应用磁学学会杂志23-4-2(1999)。
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  • 发表时间:
  • 期刊:
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    0
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  • 通讯作者:
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