ZnO半導体薄膜のMBE成長およびその励起子光物性に関する研究
ZnO半導体薄膜のMBE成長およびその励起子光物性に関する研究
ZnO半导体薄膜MBE生长及其激子光物理性质研究
批准号：
99J04301
负责人：
櫻井 啓一郎
金额：
$1.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2000
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カルコパイライト系新材料を用いた超高効率薄膜太陽電池の開発
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批准号：02J20101
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.7万
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财政年份：2003
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负责人：櫻井 啓一郎
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依托单位：