シリコン/絶縁体ヘテロ構造を用いた電子波干渉量子効果デバイスの研究
シリコン/絶縁体ヘテロ構造を用いた電子波干渉量子効果デバイスの研究
硅/绝缘体异质结构电子波干涉量子效应器件研究
批准号：
99J06638
负责人：
筒井 将史
金额：
$1.73万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
1999
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1999 至 2001
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