半導体表面上低次元金属の新物性研究

半导体表面低维金属新物理性质研究

基本信息

  • 批准号:
    00J08977
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.28万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2001
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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松田 巌其他文献

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  • 通讯作者:
    橋本直
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    道村真司,町田阿弓,切金大介,小坂昌史,片野進,稲見俊哉,山崎裕一,中尾裕則
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    Akira Ohtomo
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  • 发表时间:
    2007
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    奥田 太一

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    2027
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    Studentship
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