化学ビーム成長GaInNAs/GaAs量子井戸の高品質化と面発光レーザへの応用
化学ビーム成長GaInNAs/GaAs量子井戸の高品質化と面発光レーザへの応用
高质量化学束生长GaInNAs/GaAs量子阱及其在表面发射激光器中的应用
批准号：
00J10143
负责人：
影山 健生
金额：
$0.64万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2000
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2000 至 --
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